SK하이닉스가 차세대 AI 메모리 샘플을 주요 파트너사들에 보냈다. 성능과 효율을 높인 초고성능 D램 신제품 ‘HBM4E’ 12단 샘플이다.
18일 SK하이닉스는 "그 동안 축적해온 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 선보일 수 있었다"며 "핵심 고객사들과 긴밀히 협업해 적기 양산에 만전을 기하겠다"고 밝혔다.
‘HBM4E’는 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율이 모두 한 단계 높아졌다.
SK하이닉스에 따르면 "핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선했다"고 한다.
데이터 처리 성능은 AI 학습과 추론 능력에 크게 영향을 끼친다. HBM4E는 최신 인터페이스와 설계 최적화로 데이터 전송 지연을 줄였다고 한다. 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현할 수 있게 됐다.
적층 구조의 효율을 높이기 위해서는 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정이 적용됐다. MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고, 굳히는 공정인데, 이 과정에도 새로운 기술이 사용됐다.
그 결과 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현하는 동시에 구조 안정성을 높였다.
SK하이닉스는 "열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰, 고성능 컴퓨팅 환경에서도 메모리가 안정적으로 동작하도록 했다"고 설명했다.
SK하이닉스 안현 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer)은 "파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다. /100c@osen.co.kr
